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文丨王俊俊
芯片巨头三星（SAMSUNG），正面临前所未有的挑战。
尽管韩国半导体出口创下历史新高，但三星股价在过去三个月内大幅下跌，市净率已跌至不足一倍，创下自2009年底以来与亚洲主要同行相比的历史新低。同时，也未能吸引投资者的目光。
近日，三星电子公布了截至9月30日的2024年第三季度未经审计的盈利预测报告（正式报告将于10月31日发布）。由于营业利润低于市场预期，三星电子还罕见地发布声明致歉，并提出应对措施。
三星的自救已经开始，将削减芯片高管职位，重组设备解决方案（DS）部门。
据报道，三星电子近日宣布全面大幅重组设备解决方案（DS）部门，决定关闭每年能为其带来约2万亿韩元销售额（约合人民币105.14亿元）的LED业务。该团队主要负责电视用LED、智能手机闪光灯用LED、汽车前灯LED模块等产品的生产与销售。
理由是，公司认为该业务已不具备竞争优势，决定将其剥离，并更专注于核心领域的发展，如功率半导体和Micro LED业务。
值得一提的是，截至第二季度，三星DS部门共有438名高管，占公司1164名高管总数的38%。三星芯片高管的数量是其同城竞争对手SK海力士的两倍多，后者有199名高管。
三星芯片高管中有很多是在2017-2018年半导体繁荣时期任命的。然而，近年来，当三星芯片业务竞争力受到质疑时，并没有出现明显的高管裁员现象。
在即将到来的年底高管变动中，三星可能会对DS部门旗下三大关键业务部门——内存、代工和系统LSI——的领导层以及首席技术官和制造和技术负责人的职位进行调整。
在人事管理方面，三星电子正考虑将人事考核权下放至生产线，而非由总部统一管理，旨在进一步激发一线员工的积极性和创造力。
此外，三星内部口碑也在下滑，根据福布斯杂志2024年最佳雇主榜的最新排名显示，三星电子自2020年起连续四年蝉联冠军位置，但今年下滑至第三名。
其实为应对“芯片危机”，今年5月三星电子芯片部换帅，但此举并未提振内部低迷的气氛。7月，三星电子工会还发起了史无前例的罢工。三星似乎正在接连受挫。
市值大幅缩水，投资者质疑其竞争力
以往，每当其股价显得亲民时，总能吸引不少逢低买入者。然而，如今这一景象已不复存在。
投资者和分析师开始质疑三星的竞争力，这是他们过去从未有过的疑虑。
上月底，Macquarie在一份报告中，将三星电子的目标价从125,000韩元下调至64,000韩元，理由是担心内存行业下行周期和供应过剩导致盈利能力恶化。Macquarie还将其投资评级从“买入”下调至“中性”，目标价也下调了近一半。
他们评估称，内存半导体供应过剩将导致平均销售价格（ASP）下降，下游行业的需求也在萎缩。此次调整是基于对三星电子盈利能力将因内存半导体行业低迷而恶化的预期。
高盛集团也是下调三星盈利预期的机构之一，将三星的目标股价下调了9.5%，以反映对DRAM和NAND芯片出货量以及内存和合约芯片制造业务利润率的更悲观预测。分析师Giuni Lee在报告中表示，三星实现其在7月财报电话会议上给出的指引的可能性很低。
此外，尽管摩根士丹利预计，由于季度DRAM合约价格开始趋于平稳，三星的盈利增长有限，但它仍看到了逢低买入的可能。分析师Shawn Kim表示，过去在股价低于账面价值时买入股票，大多数情况下六个月的回报率超过40%。
三星第九代V-NAND 1Tb TLC产品，图源：三星官网
核心业务进展受挫，同行捷足先登
然而，对于Chameleon Global Capital的创始合伙人Neil Campling来说，问题的关键并不在于这些初步业绩，而在于三星的失误。
三星电子股价下跌的根本原因被广泛归咎于该公司的业务竞争力。
三星电子是全球最大规模存储芯片制造商，其存储芯片主要用于手机、笔记本电脑和服务器等设备。
目前，全球半导体市场正逐渐从低迷中复苏，用于AI服务器的芯片需求是重要推动力。
随着全球AI浪潮持续推高用于训练大模型的GPU芯片需求，在GPU硬件体系中至关重要的先进HBM存储系统同样供不应求。
然而令投资者失望的业绩指引却进一步验证了市场猜测，这家全球最大规模的存储芯片制造商未能从当前的人工智能热潮中获利 —— 三星可能并未抓住尖端制程芯片、HBM等高端存储芯片需求激增机遇。
三星似乎“踏空”了人工智能浪潮。
三星电子的危机感丝毫未减。三星近日罕见地向投资者致歉时，表示其初步业绩低于预期，并透露正在应对英伟达用于训练AI的芯片的交付延迟问题。这一状况使得SK海力士得以在高带宽内存领域（HBM）占据主导地位。
Neil Campling表示：“三星的痛苦就是海力士的收获”，并补充说SK海力士正在利润丰厚的HBM领域强势推进，确保了英伟达2025年的分配。
HBM败北SK海力士、美光
HBM 是下一代存储器，它垂直堆叠多个 DRAM，并通过 TSV（通过硅电极）将它们连接起来。
实际上，三星电子的竞争对手SK海力士、美光等均受益于HBM、数据中心DRAM和NAND等需求获得了可观增长。
但三星高端HBM芯片方面进展缓慢，它始终未能在技术上实现突破，远远落后于SK海力士。
三星、SK 海力士和美光这三家半导体巨头中，三星是唯一一家还未向全球顶级 AI 芯片设计公司 Nvidia 的Hopper架构、Blackwell 架构 GPU ，供应最新一代 HBM3E 的公司。
目前，三星正在向 Nvidia 少量供应第四代 8 层 HBM3 芯片。
三星HBM3 Icebolt，图源：三星官网
大刀阔斧的组织重组和高管裁员背后，三星旨在找出其半导体业务竞争力减弱的原因，特别是在高带宽内存 (HBM) 领域。
此前，三星电子在第二季度财报电话会议上宣布，“我们计划在第三季度量产并供应 HBM3E 8 层，下半年 12 层，符合三星电子的量产计划。”
然而，因为其HBM3E芯片未能通过英伟达等关键客户的标准审核，导致订单流失，这一前景几乎不可能实现，这将直接影响三星在HBM领域的市场份额。尽管最近取得了一些进展，包括完成了平泽校区的审计，但仍然没有明确的结果。
其次，三星过度依赖传统存储芯片而未及时转向AI和高性能计算市场，但传统存储芯片受产业周期影响较大。
鉴于向主要客户的量产供应被推迟的现实，三星对尖端的 HBM 设备的投资计划采取了保守的态度。三星电子已将明年底HBM（高带宽内存）最大产能（CAPA）目标从原来的每月20万颗下调至每月17万颗。
产能方面，明年年底HBM产能已从后期的130亿Gb（千兆）水平下调至120亿Gb。
一位知情人士表示，“据我了解，由于 HBM 业务低迷，三星电子已决定放慢设备投资步伐”，并补充道，“只有在向 NVIDIA 批量生产供应后，才会开始讨论追加投资的事宜。我确认。”
分析师表示，三星的主要业务内存业务的营业利润可能达到 5.5 万亿韩元。
如果本月晚些时候这些数据得到确认，三星的内存利润或将首次低于 SK 海力士。“根据情况，三星电子可能会失去第一大 DRAM 供应商的地位。”
代工客户纷纷转向台积电
在错失HBM这个利润丰厚市场的同时，三星还因为技术和良率落后台积电，导致其半导体代工的市场份额逐步被蚕食。
全球AI芯片的参与者英伟达、苹果和超威半导体（AMD）的核心产品都依赖台积电先进制程及封装技术，但三星的晶圆因尖端制程良率问题，在此过程中未能拿下任何订单，因此在定制芯片的外包生产方面是远落后于台积电。
从工艺角度，三星不仅在努力确保3nm和2nm市场的客户，还在加速建设生产设施，一直在扩大资本支出，以保持在先进工艺方面的竞争力，但它在财务方面的压力也对发展形成了制约。
三星多制层封装芯片LPDDR5 uMCP，图源：三星官网
尤金投资证券公司分析师Lee Seung-woo在近期的一份报告中指出：“三星在上一次财报电话会议上提出的计划已成为一项未兑现的承诺，与台积电的市值差距正在不断拉大。”他还对业绩受一次性非内存因素影响的说法提出了质疑。
2019 年，三星与台湾台积电的市场份额差距为 50% 比 20%，但今年，差距已扩大到 62% 比 12%。
此外，台积电今年第二季晶圆代工市占率为62.3%，与三星电子仍保持较大差距，三星电子晶圆代工部门今年预计亏损数十亿韩元，因此三星电子调整开工率，暂停部分晶圆代工厂。
三星流失的客户不止英伟达。据ZDNet报道，过去在三星代工厂生产芯片的韩国 AI 处理器开发商在推出下一代处理器时，这些芯片设计商采用台积电的生产节点而不是三星代工厂的技术，同时仍在生产上一代芯片。
选择台积电生产节点而非三星代工厂制造工艺的公司名单至少包括三家：DeepX、FuriosaAI 和 Mobilint。
ZDNet 称，各家公司选择不同的代工厂来生产不同的处理器，是为了优化性能并降低风险。但这家位于台湾的代工厂也可能比韩国合同芯片制造商提供更好的产量、更好的支持和更好的定价条件。
代工领域，三星仍需面对盈利能力挑战。
据悉，三星代工将从明年开始量产GAA 2纳米工艺。该公司还计划到2027年完成采用背面供电网络（BSPDN）技术的2纳米工艺的开发。
目前，三星已获得日本AI独角兽Preferred Networks（PFN）和美国AI半导体公司Ambarella作为2纳米工艺客户，计划与大型科技公司寻求合作。
这使得三星业务不至于陷入停滞，至于何时能成功拿到订单，时间会给出答案。
三星轻薄型LPDDR5X DRAM，封装厚度仅0.65mm，图源：三星官网
自救之路，仍困难重重
这家长期在内存芯片领域占据领先地位的公司，正遭遇高端人工智能半导体领域的突破难题，同时中国竞争对手的崛起也对其中端芯片领域构成威胁。
据彭博社援引TechInsights报道称，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备取代了部分美系半导体设备。
长江存储已使用国产设备制造出3D NAND闪存芯片，其自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星、SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。
基于晶栈®Xtacking® 2.0技术的长江存储第三代TLC 3D NAND闪存颗粒，图源：官网
此外，近日韩国媒体《韩国经济日报》发表文章称，中国存储半导体公司长鑫存储科技四年内将 DRAM 产能增加了近五倍，全球市场份额排名第四（10%）。据预测，三星电子、SK海力士、美光等占据全球 DRAM 市场主导地位的“三巨头”体系在中长期内可能会出现裂痕。
传统电子设备市场，三星也受到中国品牌的冲击。
有报道指出，价位在200美元左右的中国品牌手机数量在东南亚激增，使得此前在东南亚市场长期处于领先地位的三星转为“守势” —— 三星今年第二季度在东南亚的市场份额仅为18%，较2023年年初下降了约10个百分点。
这或许与其没有特别高端的产品有关，三星很难通过家电、智能手机等板块来弥补因芯片业所带来的亏损。
同时三星电子还面临多项运营挑战。5 月份，两名工人在器兴（Giheung）工厂受到辐射，印度家电工厂约600名员工举行了非法抗议。这些事件进一步加剧了三星电子重获市场信任和技术领先地位的努力。
回顾三星最近的困境，人们不禁要问，该公司曾经敏锐的战略判断、超越竞争对手的无可匹敌的速度以及对成为最好的不懈追求都到哪里去了。
三星于 1994 年开发出全球首款 256M DRAM，并一直以“世界首创”创新引领行业，但自 2020 年以来，随着竞争对手纷纷宣称这些里程碑式的创新，三星已失去创新优势。
可能，还有其他一些因素。
台积电的董事会成员都是顶尖的半导体专家，但三星的董事会成员包括几乎没有技术专长的官僚、金融家和学者。
这样的董事会不太可能提出批评或推动创新决策，这可能是三星在高端芯片上一路被赶超的原因之一。为了重获曾经的主导地位，三星或将通过改革其决策体系和管理结构，招募顶尖技术人才，提高其核心技术创新能力，走出窘境。
其实三星一直在进行探索，只不过步伐还是慢了。
今年年初，三星电子宣布进军AI处理器市场，将于2025年初推出Mach-1 AI加速芯片。此举被视为其AI战略的重要一步。
在这项战略中，三星电子避开了英伟达占领的数据中心服务器市场，而是瞄准了边缘计算领域，包括手机、PC 等智能设备、自动驾驶机器人以及物联网设备。按照其时间表，这款芯片将于今年下半年量产、今年年底交付，明年一季度交付基于该芯片的推理服务器。
至于Mach-1 AI有没有下文，会不会按照预期推出，不得而知。
当下，三星电子在攸关未来发展的HBM芯片开发上落后于对手SK海力士和美国芯片制造商美光科技，又在代工领域落后于台积电。
三星电子已经被质疑“踏空”人工智能热潮，市场开始看空。
好在，三星已经认识到自己的问题并开始着手解决。
“韩国人的一生都离不开这三件事，死亡、税收和三星”。鉴于三星的特殊地位，三星仍有翻盘机会。
只是市场风云变幻，人工智能日新月异，技术创新一步走错很难再跟，留给三星的时间，或许已经没有那么充裕了！
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